
GoodRam GR1600S3V64L11S/4G to pamięć operacyjna typu SO-DIMM zaprojektowana z myślą o komputerach przenośnych. Moduł o pojemności 4 GB i taktowaniu 1600 MHz pozwala na płynną pracę systemów operacyjnych oraz aplikacji bi
Menu działów. Kliknij dział, by rozwinąć podkategorie (także na telefonie) — zamknij Escape lub klik w tło. Strona działu: link „Katalog” w menu lub przejdź z rozwiniętego panelu.
Patriot Memory
Dostawa ok. 1 dzień
Wysyłka i dostępność
Dostępny
Produkt na stanie.
Bezpieczny zakup
Płatność, dostawę i zwrot masz jasno pokazane przed finalizacją.
Ostateczny koszt dostawy i dostępne metody płatności zobaczysz w koszyku i kasie przed płatnością.
Pamięć RAM Patriot Memory Signature PSD416G26662S to moduł typu SO-DIMM o pojemności 16 GB, zaprojektowany specjalnie do zastosowań w komputerach przenośnych oraz mniejszych stacjach roboczych. Został wykonany w technolo
Pamięć RAM Patriot Memory Signature PSD416G26662S to moduł typu SO-DIMM o pojemności 16 GB, zaprojektowany specjalnie do zastosowań w komputerach przenośnych oraz mniejszych stacjach roboczych. Został wykonany w technologii DDR4, co pozwala na osiągnięcie wyższych przepustowości danych w porównaniu do starszych generacji pamięci. Urządzenie działa przy napięciu 1,2 V, dzięki czemu charakteryzuje się efektywnym zużyciem energii i mniejszym generowaniem ciepła podczas intensywnych zadań. Jest to rozwiązanie dla użytkowników, którzy potrzebują stabilnego rozszerzenia zasobów pamięci operacyjnej swojego laptopa lub komputera typu All-in-One, zapewniając płynną pracę wielu aplikacji jednocześnie.
KLUCZOWE CECHY
DLA KOGO
Moduł ten skierowany jest przede wszystkim do użytkowników laptopów, którzy chcą wydłużyć żywotność swojego sprzętu poprzez modernizację pamięci RAM. odpowiednio sprawdza się również w przypadku budowy kompaktowych komputerów stacjonarnych (Mini-PC), gdzie liczy się zarówno wydajność, jak i oszczędność miejsca.
SPECYFIKACJA SKRÓCONA
Typ pamięci: DDR4 Pojemność: 16 GB Prędkość zegara: 2666 MHz Typ złącza: 260-pin SO-DIMM Napięcie pracy: 1.2 V
Zebraliśmy parametry w przejrzystych blokach — rozwiń każdy z nich, żeby zobaczyć pełną listę cech i danych technicznych. Dzięki temu na start nie ma ściany tekstu.
Typ pamięci buforowejUnregistered (unbuffered)
Prędkość zegara pamięci2666 MHz
Układ pamięci (moduły x rozmiar)1 x 16 GB
Zgodność z RoHSTak

GoodRam GR1600S3V64L11S/4G to pamięć operacyjna typu SO-DIMM zaprojektowana z myślą o komputerach przenośnych. Moduł o pojemności 4 GB i taktowaniu 1600 MHz pozwala na płynną pracę systemów operacyjnych oraz aplikacji bi

Pamięć RAM Kingston HyperX HX316LS9IBK2/16 to wysokiej klasy moduł typu SO-DIMM o łącznej pojemności 16 GB, zaprojektowany specjalnie z myślą o laptopach. Urządzenie łączy wysoką prędkość transferu danych z niskim pobore
Szczegóły realizacji na karcie produktu.


AFOX SO-DIMM DDR3 to moduł pamięci operacyjnej o pojemności 8 GB, zaprojektowany specjalnie z myślą o urządzeniach przenośnych. Dzięki zastosowaniu niższego napięcia pracy na poziomie 1.35 V, pamięć ta charakteryzuje się
Termin / dostawa: 2026-08-21

Szczegóły realizacji na karcie produktu.
To są opinie zamieszczane w naszym sklepie — każda treść jest weryfikowana przed publikacją. Gdy pojawią się pierwsze oceny, zobaczysz je tutaj w pełnym brzmieniu; w wynikach wyszukiwania Google mogą się pojawić gwiazdki i fragmenty opinii (rich results), o ile spełnione są wytyczne Google dotyczące recenzji produktów.
Kupiłeś u nas ten produkt? Możesz dodać opinię na stronie produktu w klasycznym widoku sklepu (wymagania logowania zależą od ustawień sklepu). Masz pytanie — napisz do nas.
Korekcja ECCNie
Napięcie pamięci1.2 V
Opóźnienie CAS19
Szerokość produktu69 mm
Wysokość produktu30 mm
Głębokość produktu3 mm
Waga produktu9,5 g
Wysokość opakowania168 mm
Waga wraz z opakowaniem18,5 g
Głębokość opakowania16 mm
Szerokość opakowania53 mm
OstrzeżeniaUtylizacja produktów elektronicznych powinna odbywać się zgodnie z lokalnymi przepisami dotyczącymi recyklingu sprzętu elektronicznego., Przechowywać w miejscu niedostępnym dla dzieci., Nie demontować ani nie uszkadzać modułów pamięci, mogą zawierać substancje niebezpieczne dla zdrowia.