
Szczegóły realizacji na karcie produktu.
Menu działów. Kliknij dział, by rozwinąć podkategorie (także na telefonie) — zamknij Escape lub klik w tło. Strona działu: link „Katalog” w menu lub przejdź z rozwiniętego panelu.
Przesuń palcem po zdjęciu albo użyj strzałek.
G.SKILL
Dostawa ok. 1 dzień
Wysyłka i dostępność
Dostępny
Produkt na stanie.
Bezpieczny zakup
Płatność, dostawę i zwrot masz jasno pokazane przed finalizacją.
Ostateczny koszt dostawy i dostępne metody płatności zobaczysz w koszyku i kasie przed płatnością.
Zestaw pamięci G.SKILL FlareX to para modułów DDR4 DIMM o łącznej pojemności 16 GB, zaprojektowana z myślą o użytkownikach desktopowych wymagających stabilnej i szybkiej pracy aplikacji. Składa się z dwóch identycznych m
Zestaw pamięci G.SKILL FlareX to para modułów DDR4 DIMM o łącznej pojemności 16 GB, zaprojektowana z myślą o użytkownikach desktopowych wymagających stabilnej i szybkiej pracy aplikacji. Składa się z dwóch identycznych modułów po 8 GB, co pozwala na aktywację dwukanałowego trybu pracy, zwiększając przepustowość danych w porównaniu do pojedynczego modułu. Zastosowany profil XMP 2.0 umożliwia osiągnięcie deklarowanej częstotliwości 3200 MHz przy opóźnieniu CAS CL16, co przekłada się na szybsze ładowanie systemów operacyjnych i płynniejszą pracę multitaskową.
KLUCZOWE CECHY
DLA KOGO
Zestaw ten jest przeznaczony dla graczy, twórców cyfrowych oraz użytkowników biurowych, którzy potrzebują więcej niż 8 GB pamięci RAM do efektywnej pracy. odpowiednio sprawdzi się w komputerach stacjonarnych budowanych od podstaw lub modernizowanych, gdzie obecna pamięć (np. 8 GB) zaczyna być wąskim gardłem dla współczesnego oprogramowania. Jest również dobrą bazą dla użytkowników, którzy planują rozbudowę systemu w przyszłości, dodając kolejne moduły (o ile płyta główna posiada dostępne sloty i obsługuje taką konfigurację).
SPECYFIKACJA SKRÓCONA
Typ pamięci RAM: DDR4 Połączenie modułów: 2 x 8 GB (16 GB łącznie) Częstotliwość pracy: 3200 MHz Opóźnienie CAS (CL): 16 Napięcie pracy: 1.35 V / 1.2 V
Zebraliśmy parametry w przejrzystych blokach — rozwiń każdy z nich, żeby zobaczyć pełną listę cech i danych technicznych. Dzięki temu na start nie ma ściany tekstu.
Typ pamięci RAMDDR4
Opóźnienie CAS16
Napięcie pamięci1.35 V, 1.2 V
Korekcja ECCNie
Rodzaj pamięci288-pin DIMM
Układ pamięci (moduły x rozmiar)2 x 8 GB
PrzeznaczeniePC/serwer
Intel® Extreme Memory Profile (XMP) wersja2.0

Szczegóły realizacji na karcie produktu.

Moduł pamięci Kingston Fury DDR4 o pojemności 16 GB i taktowaniu 3600 MT/s to komponent dedykowany dla użytkowników PC, którzy szukają stabilnej pracy systemu oraz możliwości dynamicznego dostosowania prędkości transferu


NAJWAŻNIEJSZE: ✔ Wysoka wydajność: Zapewnia szybkie przetwarzanie danych dzięki prędkości 3200 MHz. ✔ Kompatybilność: Kompatybilna z większością nowoczesnych systemów komputerowych. ✔ Rozbudowa pamięci: Idealna do rozbud
Szczegóły realizacji na karcie produktu.

Zestaw pamięci operacyjnej G.SKILL FlareX to dwa moduły DIMM DDR4 o łącznej pojemności 32 GB, zaprojektowane z myślą o użytkownikach komputerów PC oraz serwerów pracujących pod obciążeniem. Dzięki natywnej obsłudze inter
Szczegóły realizacji na karcie produktu.
To są opinie zamieszczane w naszym sklepie — każda treść jest weryfikowana przed publikacją. Gdy pojawią się pierwsze oceny, zobaczysz je tutaj w pełnym brzmieniu; w wynikach wyszukiwania Google mogą się pojawić gwiazdki i fragmenty opinii (rich results), o ile spełnione są wytyczne Google dotyczące recenzji produktów.
Kupiłeś u nas ten produkt? Możesz dodać opinię na stronie produktu w klasycznym widoku sklepu (wymagania logowania zależą od ustawień sklepu). Masz pytanie — napisz do nas.
Napięcie SPD1.2 V
Prędkość SPD2133 MHz
Opóźnienie SPD38
Obsługa kanałów pamięciDwukanałowy
Profil SPDTak
Typ pamięci buforowejUnregistered (unbuffered)
Pamięć RAM16 GB
Rodzaj chłodzeniaRadiator
Prędkość zegara pamięci3200 MHz
Wysokość produktu40 mm
OstrzeżeniaChronić przed skrajnymi temperaturami., Utylizować zgodnie z lokalnymi przepisami dotyczącymi odpadów elektronicznych., Nie otwieraj obudowy modułu pamięci.